Mesaj gönder
Ev > Ürünler > Elektronik Bileşenler > W9725G6KB-25 DRAM ic Chip DDR2 SDRAM 256Mbit 16Mx16 1.8V 84-Pin WBGA

W9725G6KB-25 DRAM ic Chip DDR2 SDRAM 256Mbit 16Mx16 1.8V 84-Pin WBGA

kategori:
Elektronik Bileşenler
Fiyat:
Negotiated
Ödeme yöntemi:
T/T, Batı Birliği
Özellikler
Kategori:
elektronik parçalar
Aile:
DRAM ic Çip DDR2 SDRAM
Alt Kategori:
Bellek IC yongası
Kurşunsuz durum:
Kurşunsuz / RoHS Uyumlu, RoHS Uyumlu
Açıklama:
IC DRAM 256MBIT PARALEL 84WBGA
Montaj tipi:
Yüzey Montajı
Tip:
56Mbit 16Mx16 1.8V
paket:
84-Pin WBGA
Sıcaklık aralığı:
-40 ila +85
giriiş

W9725G6KB-25 DRAM ic Chip DDR2 SDRAM 256Mbit 16Mx16 1.8V 84-Pin WBGA
 
DRAM Çip DDR2 SDRAM 256Mbit 16Mx16 1.8V 84-Pin WBGA
 
1. GENEL AÇIKLAMA

W9725G6KB, 4.194.304 kelime  4 banka  16 bit olarak düzenlenen 256M bitlik bir DDR2 SDRAM'dir.Bu cihaz, genel uygulamalar için 1066Mb/sn/pin'e (DDR2-1066) kadar yüksek aktarım hızlarına ulaşır.W9725G6KB şu hız derecelerine göre sınıflandırılır: -18, -25, 25I ve -3.-18 dereceli parçalar, DDR2-1066 (7-7-7) spesifikasyonu ile uyumludur.-25 ve 25I kalite parçalar, DDR2-800 (5-5-5) veya DDR2-800 (6-6-6) spesifikasyonuyla uyumludur (-40°C ≤ TCASE'yi desteklemesi garanti edilen 25I endüstriyel sınıf parçalar ≤ 95 °C).-3 dereceli parçalar, DDR2-667 (5-5-5) spesifikasyonu ile uyumludur.Tüm kontrol ve adres girişleri, harici olarak sağlanan bir çift diferansiyel saat ile senkronize edilir.Girişler, diferansiyel saatlerin çapraz noktasında kilitlenir (CLK yükseliyor ve CLK düşüyor).Tüm I/O'lar, tek uçlu bir DQS veya diferansiyel DQS-DQS çifti ile kaynak senkronize bir şekilde senkronize edilir.

 

2. ÖZELLİKLER  Güç Kaynağı: VDD, VDDQ = 1,8 V ± 0,1V  Çift Veri Hızı mimarisi: saat döngüsü başına iki veri aktarımı  CAS Gecikme: 3, 4, 5, 6 ve 7  Burst Uzunluğu: 4 ve 8  Bi - yönlü, diferansiyel veri flaşları (DQS ve DQS ) verilerle iletilir / alınır  Verileri oku ile kenar hizalanır ve Veri yaz ile merkez hizalanır  DLL, DQ ve DQS geçişlerini saat ile hizalar  Diferansiyel saat girişleri (CLK ve CLK )  Veri yazmak için veri maskeleri (DM)  Her pozitif CLK kenarına, veriye ve veri maskesine girilen komutlar, DQS'nin her iki kenarına başvurulur  Komut ve veri yolu verimliliği yapmak için desteklenen CAS programlanabilir ekleme gecikmesi  Okuma Gecikmesi = Toplamsal Gecikme artı CAS Gecikme (RL = AL + CL)  Daha iyi sinyal kalitesi için Çipsiz Sürücü empedans ayarı (OCD) ve On-Die-Sonlandırma (ODT)  Okuma ve yazma patlamaları için otomatik ön şarj işlemi  Otomatik Yenileme ve Kendi Kendini Yenileme modları  Önceden Şarj Edilmiş Güç Kapatma ve Etkin Güç Kapatma  Veri Maskesini Yazma  Yazma Gecikme Süresi = Okuma Latency - 1 (WL = RL - 1)  Arayüz: SSTL_18  RoHS uyumlu Kurşunsuz malzemeler kullanılarak WBGA 84 Ball (8x12.5 mm2) içinde paketlenmiştir.

 

İlgili Cihaz bilgileri:

PARÇA NUMARASI HIZ DERECESİ ÇALIŞMA SICAKLIĞI
W9725G6KB-18 DDR2-1066 (7-7-7) 0°C ≤ TCASE ≤ 85°C
W9725G6KB-25 DDR2-800 (5-5-5) veya DDR2-800 (6-6-6) 0°C ≤ TCASE ≤ 85°C
W9725G6KB25I DDR2-800 (5-5-5) veya DDR2-800 (6-6-6) -40°C ≤ TCASE ≤ 95°C
W9725G6KB-3 DDR2-667 (5-5-5) 0°C ≤ TCASE ≤ 85°C

 

 

Çevre ve İhracat Sınıflandırmaları
BAĞLANMAK TANIM
RoHS Durumu ROHS3 Uyumlu
Nem Hassasiyet Seviyesi (MSL) 3 (168 Saat)
ECCN KULAK99
HTŞ 8542.39.0001

 
W9725G6KB-25 DRAM ic Chip DDR2 SDRAM 256Mbit 16Mx16 1.8V 84-Pin WBGA

W9725G6KB-25 DRAM ic Chip DDR2 SDRAM 256Mbit 16Mx16 1.8V 84-Pin WBGA

RFQ gönder
Stoklamak:
MOQ:
1pieces